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GaN圈“扫地僧”誉鸿锦:身藏宝藏,初现锋芒

发布时间 2023-10-18 07:27 -- 来源 电子工程网 阅读量:14147   
【导读】10月13日,誉鸿锦半导体在深圳国际会展中心隆重举行了氮化镓(GaN)器件品牌发布会,暨誉鸿锦2023年度GaN功率电子器件及招商发布会活动。 借此,我们注意到这家一亮相便惊艳四座的GaN赛道的“扫地僧”——在氮化镓行业长期耕耘、专注专精...

GaN圈“扫地僧”誉鸿锦:身藏宝藏,初现锋芒

10月13日,誉鸿锦半导体在深圳国际会展中心隆重举行了氮化镓(GaN)器件品牌发布会,暨誉鸿锦2023年度GaN功率电子器件及招商发布会活动。

借此,我们注意到这家一亮相便惊艳四座的GaN赛道的“扫地僧”——在氮化镓行业长期耕耘、专注专精、做深做细、低调沉潜的形象,恰如金庸笔下武功深不可测而又难掩锋芒的无名僧人。

随着下游市场需求爆发,第三代半导体逐渐驶进黄金赛道,誉鸿锦半导体入场GaN赛道便带着一份令人惊叹的成绩单:“仅用1.5年时间从建厂到中试线稳定产能达到1.5万片;7天完成外延至成品器件的周期;量产平均良率达到85%;研发周期和建线成本较行业减少2/3...”

那么,誉鸿锦是如何在如此短的时间内,就实现了高效、超高良率、低成本的氮化镓国产化建设?让我们一起探究这家国产GaN赛道“扫地僧”背后的故事和产业抱负。

誉鸿锦董事长闫怀宝

为解氮化镓普及率低

誉鸿锦发起一场“产业效率革命”

正视现状让人清醒。

第三代化合物半导体前景广阔,为霞尚满天。然而,其市场普及率仍然非常低,与硅基器件相比存在数量级差距。

从材料成本来说,氮化镓器件并不比硅基器件昂贵。誉鸿锦分析了氮化镓渗透率依然低的原因:并不是很多人所认为的氮化镓器件规模仍然不足,导致成本均摊困难。本质问题出现在产业效率上,只有把系统效率提升,才能用更低的成本推动器件的大规模应用。

曾几何时,器件研发从流片、封测到验证等环节要等数月甚至数年之久,空转成本可达 2000 多万元,如果将原本 1 年或 1 个月的研发生产周期流程压缩到 7 天,对整个产业链意义不言而喻。

氮化镓器件实现大规模应用的关键是“物美价廉”,便宜的前提是要大幅提高生产效率。

誉鸿锦半导体正是从这个角度开始解题,提出 “产业效率革命 = 高良率 xIDM 整合 x 高研发效率 x 设备降本 x 快速应用验证”,希望从产业链全维度来加速氮化镓器件的降本,以及大规模应用普及。

无论是从 IDM 产线构建,还是量产节奏,以及供应周期来看,“高效” 是誉鸿锦现阶段进入市场的核心竞争力之一。在目前月产 1.5 万片的中试线之后,据誉鸿锦品牌战略官张雷透露,目前誉鸿锦的月产能已经做到了国内实际上的产能第一,正在建设的二期线将会在今年年底封顶。二期线建成投产后,产能将会达到每月 25 万片,届时可能成为全球最大的氮化镓 IDM 工厂。

誉鸿锦发起的这一场“产业效率革命”,是希望从产业链全维度来加速氮化镓器件的降本。

登高而招,顺风而呼,颇有产业战略野心。

成本减少2/3

Super IDM产业集群新模式

据了解,誉鸿锦首创能够让氮化镓实现产业效率革命的 Super IDM 产业集群生态模式:Super IDM产业集群 = 上游设备材料 + IDM +终端技术应用+ 零售服务生态链”,是包括设备材料端、自主全流程IDM、销售与技术服务体系群以及终端产品应用生态链的Super IDM产业集群概念。

誉鸿锦品牌战略官张雷

凭借 85% 平均量产良率获得高一致性器件,誉鸿锦实现了高集成度 IDM-7 天制造周期、高研发效率使时间缩短 2/3,自研设备和设备国产化使成本降低 2/3。

誉鸿锦董事长闫怀宝在发布会上自信地表示:“这在整个业界是基本上不可被复制的”,而量产速度,仅仅是冰山一角。

据了解,誉鸿锦拥有在行业里数量最多、工序最为齐全的设备产线。除此之外,誉鸿锦还具备正向的设备调试和组装能力。誉鸿锦半导体在创立之初就组建了产业奠基人邵春林博士为首的的技术团队。基于Know-How的正向研发能力,根据目标需求自由选择甚至开拓新的技术路线,并实现快速制样和验证,提升氮化镓良率;以及短时间内开发出国内先进的MOCVD设备。

Super IDM 产业集群的深度耦合,可以实现上游设备自主可控、成本下降,IDM环节极致效率,应用终端快速导入和批量验证,从而实现推动氮化镓产业快速普及的产业目标。

发布全功率段器件

绘就产业合作新“蓝图”

值得一提的是,誉鸿锦发布了从 100V-650V-900~1200V 的全功率段器件,能应用于多种电力电子领域。其中,誉鸿锦正式发布的行业首个氮化镓SBD器件,以及900V蓝宝石基氮化镓晶圆的实物展示引起了行业的重点关注。

其中1200V/85mΩ的氮化镓MOSFET在今年第四季度就可以送样,并且1700V的氮化镓器件也即将会推出。

与国际头部友商相比,誉鸿锦的功率器件可以做到海外厂商价格的几分之一。而且誉鸿锦的氮化镓器件将以硅器件的价格为目标,推动氮化镓对硅的加速替代。

目前,誉鸿锦实现了极低外延翘曲控制、均匀性的GaN层厚度以及精准可控的载流子调控等自主关键技术能力。具备在氮化镓、硅、碳化硅和蓝宝石衬底上外延生长氮化镓材料的技术矩阵,以及功率电子、激光与显示、射频全产品能力。

誉鸿锦在终端产品生态链平台上,已经具备储能充电、电动出行、激光显示应用等产品品牌。在现场签约环节,誉鸿锦半导体与行业top的应用型大学“东莞理工”国际微电子学院就共建人才培养和产业共创平台项目签署了战略合作协议。同时也同“大族激光”旗下的“大族机器人”签署了氮化镓电机研发与应用的产业合作战略协议。

结语

GaN圈“扫地僧”誉鸿锦,已经造就了国产氮化镓行业的一份惊喜——不知不觉,不可或缺。经由GaN产业链加码布局,誉鸿锦半导体已蓄崛起之势,有望成为国内首屈一指的集研发、制造、封测及销售为一体的全产业链半导体整合设备生产模式企业,冀未来实现国有替代技术突围。

誉鸿锦表示,他们希望凭借更好的器件良率和一致性,以更少更高的规格实现全场景需求和优势成本覆盖,兼顾高性能和低成本的方式推动氮化镓器件全面普及,以实现誉鸿锦“用氮化镓半导体改变每个人的生活”的产业理想。

扫堂亮招者,起于三寸方圆,以就万仞之深。期待默默投入,坚持长期主义的誉鸿锦亮出更多宝藏。

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